Numer produktu producenta:
TK25A20D,S5X
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TK25A20D,S5X-DG
Opis:
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Szczegółowy opis:
N-Channel 200 V 25A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Magazyn:
25 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12988911
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TK25A20D,S5X Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tube
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
200 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
25A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
70mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2550 pF @ 100 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
45W (Tc)
Temperatura
150°C
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220SIS
Pakiet / Walizka
TO-220-3 Full Pack
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
264-TK25A20D,S5X-DG
TK25A20D,S5X(M
264-TK25A20DS5X
264-TK25A20D,S5X
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
AS1M025120T
N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
AIMBG120R020M1XTMA1
SIC_DISCRETE
2N7002E
N-CHANNEL SMD MOSFET ESD PROTECT
