Numer produktu producenta:
TK1P90A,LQ(CO
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TK1P90A,LQ(CO-DG
Opis:
MOSFET N-CH 900V 1A PW-MOLD
Szczegółowy opis:
N-Channel 900 V 1A (Ta) 20W (Tc) Surface Mount PW-MOLD
Magazyn:
12891454
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TK1P90A,LQ(CO Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
900 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
1A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
9Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
320 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
20W (Tc)
Temperatura
150°C
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PW-MOLD
Pakiet / Walizka
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Podstawowy numer produktu
TK1P90
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
TK1P90ALQ(CO
Pakiet Standard
2,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
RoHS Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TK4A55DA(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 550V 3.5A TO220SIS
SSM3J130TU,LF
MOSFET P-CH 20V 4.4A UFM
SSM3J134TU,LF
MOSFET P-CH 20V 3.2A UFM
