Numer produktu producenta:
TK190A65Z,S4X
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TK190A65Z,S4X-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 15A TO220SIS
Szczegółowy opis:
N-Channel 650 V 15A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Magazyn:
210 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12954234
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TK190A65Z,S4X Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tube
Seria
DTMOSVI
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
15A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
190mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 610µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1370 pF @ 300 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
40W (Tc)
Temperatura
150°C
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220SIS
Pakiet / Walizka
TO-220-3 Full Pack
Podstawowy numer produktu
TK190A65
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
264-TK190A65ZS4X
TK190A65Z,S4X(S
264-TK190A65Z,S4X-DG
264-TK190A65Z,S4X
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
ISL9N308AP3
N-CHANNEL POWER MOSFET
AOT600A60L
MOSFET N-CH 600V 8A TO220
SI3451DV-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 2.8A 6TSOP
