Numer produktu producenta:
TK17E80W,S1X
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TK17E80W,S1X-DG
Opis:
MOSFET N-CHANNEL 800V 17A TO220
Szczegółowy opis:
N-Channel 800 V 17A (Ta) 180W (Tc) Through Hole TO-220
Magazyn:
100 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12890042
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TK17E80W,S1X Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tube
Seria
DTMOSIV
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
800 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
17A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
290mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 850µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2050 pF @ 300 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
180W (Tc)
Temperatura
150°C
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Podstawowy numer produktu
TK17E80
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
TK17E80WS1X
TK17E80W,S1X(S
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TK25E60X,S1X
MOSFET N-CH 600V 25A TO220
SSM3K310T(TE85L,F)
MOSFET N-CH 20V 5A TSM
TPN4R303NL,L1Q
MOSFET N-CH 30V 40A 8TSON
