Numer produktu producenta:
TK12E80W,S1X
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TK12E80W,S1X-DG
Opis:
MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220
Szczegółowy opis:
N-Channel 800 V 11.5A (Ta) 165W (Tc) Through Hole TO-220
Magazyn:
12949829
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TK12E80W,S1X Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tube
Seria
DTMOSIV
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
800 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
11.5A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
450mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 570µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1400 pF @ 300 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
165W (Tc)
Temperatura
150°C
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Podstawowy numer produktu
TK12E80
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
TK12E80WS1X
TK12E80W,S1X(S
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
STP13N80K5
PRODUCENT
STMicroelectronics
ILOŚĆ DOSTĘPNA
312
NUMER CZĘŚCI
STP13N80K5-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.60
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TK62J60W,S1VQ
MOSFET N-CH 600V 61.8A TO3P
DMPH6250SQ-13
MOSFET P-CH 60V 2.4A SOT23 T&R
TSM4N80CZ C0G
MOSFET N-CHANNEL 800V 4A TO220
