Numer produktu producenta:
TK11A65W,S5X
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TK11A65W,S5X-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 11.1A TO220SIS
Szczegółowy opis:
N-Channel 650 V 11.1A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Magazyn:
81 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12890684
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TK11A65W,S5X Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tube
Seria
DTMOSIV
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
11.1A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
390mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 450µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
890 pF @ 300 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
35W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220SIS
Pakiet / Walizka
TO-220-3 Full Pack
Podstawowy numer produktu
TK11A65
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
TK11A65WS5X
TK11A65W,S5X(M
TK11A65W,S5X-DG
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TK11A45D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 450V 11A TO220SIS
TPCA8010-H(TE12LQM
MOSFET N-CH 200V 5.5A 8SOP
SSM6G18NU,LF
MOSFET P-CH 20V 2A 6UDFN