Numer produktu producenta:
TK10A50W,S5X
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TK10A50W,S5X-DG
Opis:
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Szczegółowy opis:
N-Channel 500 V 9.7A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Magazyn:
138 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12954538
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TK10A50W,S5X Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tube
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
500 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
9.7A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
380mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 500µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
700 pF @ 300 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
30W (Tc)
Temperatura
150°C
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220SIS
Pakiet / Walizka
TO-220-3 Full Pack
Podstawowy numer produktu
TK10A50
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
TK10A50W,S5X(M
264-TK10A50WS5X
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
FDS6676AS
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
BSC005N03LS5IATMA1
TRENCH <= 40V
SI4850BDY-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 8.4A/11.3A 8SO
