Numer produktu producenta:
TJ60S06M3L(T6L1,NQ
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TJ60S06M3L(T6L1,NQ-DG
Opis:
MOSFET P-CH 60V 60A DPAK
Szczegółowy opis:
P-Channel 60 V 60A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount DPAK+
Magazyn:
2361 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12889524
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
eOxa
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TJ60S06M3L(T6L1,NQ Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
U-MOSVI
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
60A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
6V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
11.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
156 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
+10V, -20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
7760 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
100W (Tc)
Temperatura
175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
DPAK+
Pakiet / Walizka
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Podstawowy numer produktu
TJ60S06
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
264-TJ60S06M3L(T6L1,NQTR
264-TJ60S06M3L(T6L1,NQDKR
264-TJ60S06M3L(T6L1,NQCT
TJ60S06M3L(T6L1NQ-DG
TJ60S06M3L(T6L1NQ
TJ60S06M3LT6L1NQ
Pakiet Standard
2,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SSM6J401TU,LF
MOSFET P-CH 30V 2.5A UF6
2SK2963(TE12L,F)
MOSFET N-CH 100V 1A PW-MINI
TK20E60W,S1VX
MOSFET N-CH 600V 20A TO220
