Numer produktu producenta:
SSM6P35AFE,LF
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
SSM6P35AFE,LF-DG
Opis:
MOSFET 2P-CH 20V 0.25A ES6
Szczegółowy opis:
Mosfet Array 20V 250mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount ES6
Magazyn:
7714 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12889217
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SSM6P35AFE,LF Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, FET, układy MOSFET
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
U-MOSVII
Status produktu
Active
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracja
2 P-Channel (Dual)
Funkcja FET
Logic Level Gate, 1.2V Drive
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
250mA (Ta)
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 100µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
-
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
42pF @ 10V
Moc - Max
150mW (Ta)
Temperatura
150°C
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
SOT-563, SOT-666
Pakiet urządzeń dostawcy
ES6
Podstawowy numer produktu
SSM6P35
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SSM6P35AFELFTR
SSM6P35AFE,LF(B
SSM6P35AFELFCT
SSM6P35AFELFDKR
Pakiet Standard
4,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SSM6N15AFU,LF
MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6
SSM6L09FUTE85LF
MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6
SSM6N815R,LF
MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF
