Numer produktu producenta:
SSM6L35FU(TE85L,F)
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
SSM6L35FU(TE85L,F)-DG
Opis:
MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6
Szczegółowy opis:
Mosfet Array 20V 180mA, 100mA 200mW Surface Mount US6
Magazyn:
2617 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12891303
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SSM6L35FU(TE85L,F) Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, FET, układy MOSFET
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracja
N and P-Channel
Funkcja FET
Logic Level Gate, 1.2V Drive
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
180mA, 100mA
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
3Ohm @ 50mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
-
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
9.5pF @ 3V
Moc - Max
200mW
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pakiet urządzeń dostawcy
US6
Podstawowy numer produktu
SSM6L35
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SSM6L35FU(TE85LF)TR
SSM6L35FU (TE85L,F)
SSM6L35FU(TE85LF)DKR
SSM6L35FU(TE85LF)CT
SSM6L35FUTE85LF
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SSM6P69NU,LF
MOSFET 2P-CH 20V 4A 6DFN
TPCP8401(TE85L,F)
MOSFET N/P-CH 20V/12V PS-8
SSM6P15FE(TE85L,F)
MOSFET 2P-CH 30V 0.1A ES6
