Numer produktu producenta:
SSM6K810R,LF
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
SSM6K810R,LF-DG
Opis:
SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS=10
Szczegółowy opis:
N-Channel 100 V 3.5A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 6-TSOP-F
Magazyn:
5954 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12990059
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SSM6K810R,LF Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
U-MOSVIII-H
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
3.5A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
69mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 100µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
3.2 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
430 pF @ 15 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.5W (Ta)
Temperatura
175°C
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
6-TSOP-F
Pakiet / Walizka
6-SMD, Flat Leads
Podstawowy numer produktu
SSM6K810
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
264-SSM6K810RLFTR-DG
264-SSM6K810RLFTR
264-SSM6K810R,LFDKR
264-SSM6K810R,LFCT
264-SSM6K810R,LFTR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IAUS300N08S5N014TATMA1
MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2
NTMFS0D8N03CT1G
MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,
UJ4C075023B7S
750V/23MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
