SSM6J808R,LF
Numer produktu producenta:

SSM6J808R,LF

Product Overview

Producent:

Toshiba Semiconductor and Storage

Numer części:

SSM6J808R,LF-DG

Opis:

P-CH MOSFET, -40 V, -7 A, 0.035O
Szczegółowy opis:
P-Channel 40 V 7A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 6-TSOP-F

Magazyn:

10631 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
13309570
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

SSM6J808R,LF Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Stan części
Active
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
40 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
7A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
35mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 100µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
24.2 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
+10V, -20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1020 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.5W (Ta)
Temperatura
150°C
Ocena
Automotive
Kwalifikacja
AEC-Q101
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
6-TSOP-F
Pakiet / Walizka
6-SMD, Flat Leads
Podstawowy numer produktu
SSM6J808

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
264-SSM6J808RLFDKR
264-SSM6J808R,LFTR
264-SSM6J808RLFCT
264-SSM6J808R,LFDKR-ND
264-SSM6J808R,LFCT-ND
264-SSM6J808RLFTR
264-SSM6J808R,LFCT
264-SSM6J808R,LFTR-ND
264-SSM6J808R,LFDKR
Pakiet Standard
3,000

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
diodes

DMTH12H007SPSW-13

MOSFET BVDSS: 101V~250V PowerDI5

nexperia

PSMNR56-25YLEX

PSMNR56-25YLE/SOT1023/4 LEADS

diodes

DMP22D5UFB4-7B

MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-

diodes

DMN39M1LK3-13

MOSFET BVDSS: 25V~30V TO252 T&R