Numer produktu producenta:
SSM6J505NU,LF
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
SSM6J505NU,LF-DG
Opis:
MOSFET P-CH 12V 12A 6UDFNB
Szczegółowy opis:
P-Channel 12 V 12A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2)
Magazyn:
14700 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12889227
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SSM6J505NU,LF Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
U-MOSVI
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
12 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
12A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
1.2V, 4.5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
12mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
37.6 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±6V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2700 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.25W (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
6-UDFNB (2x2)
Pakiet / Walizka
6-WDFN Exposed Pad
Podstawowy numer produktu
SSM6J505
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SSM6J505NU,LF(T
SSM6J505NU,LF(B
SSM6J505NULFDKR
SSM6J505NULF
SSM6J505NULFCT
SSM6J505NULFTR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SSM3J56ACT,L3F
MOSFET P-CH 20V 1.4A CST3
SSM3K01T(TE85L,F)
MOSFET N-CH 30V 3.2A TSM
SSM3K56MFV,L3F
MOSFET N-CH 20V 800MA VESM
