Strona główna
Produkty
Producenci
O DiGi
Skontaktuj się z nami
Blogi i posty
Zapytanie ofertowe
Poland
Zaloguj się
Wybór języka
Bieżący język do wyboru:
Poland
Przełącz:
Angielski
Europa
Wielka Brytania
Francja
Hiszpania
Turcja
Mołdawia
Litwa
Norwegia
Niemcy
Portugalia
Słowacja
ltaly powiedział:
Finlandia
Rosyjski
Bułgaria
Dania
Estonia
Polska
Ukraina
Słowenia
Czeski
Grecki
Chorwacja
Izrael
Serbia
Białoruś
Holandia
Szwecja
Czarnogóra
Baskijski
Islandia
Bośnia
Węgierski
Rumunia
Austria
Belgia
Irlandia
Azja / Pacyfik
Chiny
Wietnam
Indonezja
Tajlandia
Laos
Filipiński
Malezja
Korea
Japonia
Hongkong
Tajwan
Singapur
Pakistan
Arabia Saudyjska
Katar
Kuwejt
Kambodża
Myanmar
Afryka, Indie i Bliski Wschód
Zjednoczone Emiraty Arabskie
Tadżykistan
Madagaskar
Indie
Iran
DR Konga
Republika Południowej Afryki
Egipt
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunezja
Ameryka Południowa / Oceania
Nowa Zelandia
Angola
Brazylia
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Wenezuela
Ekwador
Boliwia
Urugwaj
Argentyna
Paragwaj
Australia
Ameryka Północna
Stany Zjednoczone
Haiti
Kanada
Kostaryka
Meksyk
O DiGi
O nas
O nas
Nasze certyfikaty
DiGi Wprowadzenie
Dlaczego DiGi
Polityka
Polityka Jakości
Warunki użytkowania
Zgodność z RoHS
Proces zwrotu
Zasoby
Kategorie Produktów
Producenci
Blogi i posty
Usługi
Gwarancja Jakości
Sposób płatności
Globalna przesyłka
Stawki wysyłki
Najczęściej Zadawane Pytania
Numer produktu producenta:
SSM6J503NU,LF
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
SSM6J503NU,LF-DG
Opis:
MOSFET P-CH 20V 6A 6UDFNB
Szczegółowy opis:
P-Channel 20 V 6A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2)
Magazyn:
2186 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12891592
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
*
Firma
*
Nazwa kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Adres dostawy
Wiadomość
(
*
) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SSM6J503NU,LF Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
U-MOSVI
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
6A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
1.5V, 4.5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
32.4mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
12.8 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
840 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1W (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
6-UDFNB (2x2)
Pakiet / Walizka
6-WDFN Exposed Pad
Podstawowy numer produktu
SSM6J503
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
SSM6J503NU
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SSM6J503NULF(TCT-DG
SSM6J503NULFTR
SSM6J503NU,LF(B
SSM6J503NULF(TDKR
SSM6J503NULFDKR
SSM6J503NU,LF(T
SSM6J503NULF(TCT
SSM6J503NULF
SSM6J503NULF(TTR-DG
SSM6J503NULF(TDKR-DG
SSM6J503NULFCT
SSM6J503NULF(TTR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
RF4C050APTR
PRODUCENT
Rohm Semiconductor
ILOŚĆ DOSTĘPNA
5045
NUMER CZĘŚCI
RF4C050APTR-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.20
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
PMPB29XPE,115
PRODUCENT
Nexperia USA Inc.
ILOŚĆ DOSTĘPNA
14231
NUMER CZĘŚCI
PMPB29XPE,115-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.11
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TPCA8A01-H(TE12L,Q
MOSFET N-CH 30V 36A 8SOP
TK65S04K3L(T6L1,NQ
MOSFET N-CH 40V 65A DPAK
DMG10N60SCT
MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
2SK3462(TE16L1,NQ)
MOSFET N-CH 250V 3A PW-MOLD