Numer produktu producenta:
SSM6J501NU,LF
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
SSM6J501NU,LF-DG
Opis:
MOSFET P-CH 20V 10A 6UDFNB
Szczegółowy opis:
P-Channel 20 V 10A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2)
Magazyn:
106283 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12889406
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SSM6J501NU,LF Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
U-MOSVI
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
10A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
1.5V, 4.5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
15.3mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
29.9 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2600 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1W (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
6-UDFNB (2x2)
Pakiet / Walizka
6-WDFN Exposed Pad
Podstawowy numer produktu
SSM6J501
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SSM6J501NULF(TTR
SSM6J501NU,LF(B
SSM6J501NULF(TDKR
SSM6J501NULFCT
SSM6J501NU,LF(A
SSM6J501NULF
SSM6J501NULF(TDKR-DG
SSM6J501NULF(TCT
SSM6J501NULFDKR
SSM6J501NULF(TTR-DG
SSM6J501NU,LF(T
SSM6J501NULF(TCT-DG
SSM6J501NULFTR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
2SJ438(CANO,Q,M)
MOSFET P-CH TO220NIS
SSM3K329R,LF
MOSFET N CH 30V 3.5A 2-3Z1A
TK4A65DA(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 650V 3.5A TO220SIS
