Numer produktu producenta:
SSM6J414TU,LF
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
SSM6J414TU,LF-DG
Opis:
MOSFET P CH 20V 6A UF6
Szczegółowy opis:
P-Channel 20 V 6A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount UF6
Magazyn:
5120 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12889311
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SSM6J414TU,LF Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
U-MOSVI
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
6A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
1.5V, 4.5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
22.5mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
23.1 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1650 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1W (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
UF6
Pakiet / Walizka
6-SMD, Flat Leads
Podstawowy numer produktu
SSM6J414
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SSM6J414TULF(TDKR
SSM6J414TULF(TTR
SSM6J414TU,LF(T
SSM6J414TULFDKR
SSM6J414TULF
SSM6J414TU,LFCT
SSM6J414TULF(TCT
SSM6J414TULF(TCT-DG
SSM6J414TULF(TDKR-DG
SSM6J414TULFCT
SSM6J414TULF(TTR-DG
SSM6J414TULFTR
SSM6J414TU,LFDKR
SSM6J414TU,LFTR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SSM3K37CT,L3F
MOSFET N-CH 20V 200MA CST3
TK20J60U(F)
MOSFET N-CH 600V 20A TO3P
TK10J80E,S1E
MOSFET N-CH 800V 10A TO3P
