Numer produktu producenta:
SSM5G10TU(TE85L,F)
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
SSM5G10TU(TE85L,F)-DG
Opis:
MOSFET P-CH 20V 1.5A UFV
Szczegółowy opis:
P-Channel 20 V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UFV
Magazyn:
40 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12889139
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SSM5G10TU(TE85L,F) Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Seria
U-MOSIII
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
1.5A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
1.8V, 4V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
213mOhm @ 1A, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
6.4 nC @ 4 V
Vgs (maks.)
±8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
250 pF @ 10 V
Funkcja FET
Schottky Diode (Isolated)
Rozpraszanie mocy (maks.)
500mW (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
UFV
Pakiet / Walizka
6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Podstawowy numer produktu
SSM5G10
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SSM5G10TU(TE85LF)CT
SSM5G10TU(TE85LF)DKR
SSM5G10TUTE85LF
SSM5G10TU(TE85LF)TR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TK10P60W,RVQ
MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK
SSM3K37MFV,L3F
MOSFET N-CH 20V 250MA VESM
TK290A60Y,S4X
MOSFET N-CH 600V 11.5A TO220SIS