Numer produktu producenta:
SSM3J35MFV,L3F
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
SSM3J35MFV,L3F-DG
Opis:
MOSFET P-CH 20V 100MA VESM
Szczegółowy opis:
P-Channel 20 V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM
Magazyn:
35555 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12889711
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SSM3J35MFV,L3F Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
100mA (Ta)
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
8Ohm @ 50mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
12.2 pF @ 3 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
150mW (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
VESM
Pakiet / Walizka
SOT-723
Podstawowy numer produktu
SSM3J35
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SSM3J35MFVL3F(T
SSM3J35MFVTL3T
SSM3J35MFV(TL3,T)
SSM3J35MFV(TL3T)DKR-DG
SSM3J35MFV,L3F(T
SSM3J35MFVL3FCT
SSM3J35MFV(TL3T)TR-DG
SSM3J35MFVL3FTR
SSM3J35MFV(TL3T)TR
SSM3J35MFVL3F(B
SSM3J35MFV(TL3T)DKR
SSM3J35MFVL3FDKR
SSM3J35MFV(TL3T)CT-DG
SSM3J35MFV,L3F(B
SSM3J35MFVL3F
SSM3J35MFV(TL3T)CT
Pakiet Standard
8,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
RoHS Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
2SJ304(F)
MOSFET P-CH 60V 14A TO220NIS
TK6A60D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 600V 6A TO220SIS
TK31N60W,S1VF
MOSFET N CH 600V 30.8A TO247
