Numer produktu producenta:
SSM3J168F,LF
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
SSM3J168F,LF-DG
Opis:
MOSFET P-CH 60V 400MA S-MINI
Szczegółowy opis:
P-Channel 60 V 400mA (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Magazyn:
13467 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12889347
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SSM3J168F,LF Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
U-MOSVI
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
400mA (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
1.9Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
3 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
+20V, -16V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
82 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.2W (Ta)
Temperatura
150°C
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-23-3
Pakiet / Walizka
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Podstawowy numer produktu
SSM3J168
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SSM3J168FLFTR
SSM3J168FLF
SSM3J168FLF(B
SSM3J168FLF-DG
SSM3J168FLFCT
SSM3J168F,LF(B
SSM3J168FLFDKR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
2SK3844(Q)
MOSFET N-CH 60V 45A TO220NIS
TK8A60W,S4VX
MOSFET N-CH 600V 8A TO220SIS
SSM6J212FE,LF
MOSFET P-CH 20V 4A ES6
