Numer produktu producenta:
SSM3J112TU,LF
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
SSM3J112TU,LF-DG
Opis:
MOSFET P-CH 30V 1.1A UFM
Szczegółowy opis:
P-Channel 30 V 1.1A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount UFM
Magazyn:
748 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12889990
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SSM3J112TU,LF Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
1.1A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
390mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.8V @ 100µA
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
86 pF @ 15 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
800mW (Ta)
Temperatura
150°C
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
UFM
Pakiet / Walizka
3-SMD, Flat Leads
Podstawowy numer produktu
SSM3J112
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
264-SSM3J112TU,LFCT
SSM3J112TULF-DG
264-SSM3J112TU,LFTR
SSM3J112TULF
264-SSM3J112TU,LFDKR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SSM3J65CTC,L3F
MOSFET P-CH 20V 700MA CST3C
2SK2916(F)
MOSFET N-CH 500V 14A TO3PIS
SSM6J502NU,LF
MOSFET P-CH 20V 6A 6UDFNB
