Numer produktu producenta:
RN4985FE,LXHF(CT
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
RN4985FE,LXHF(CT-DG
Opis:
AUTO AEC-Q TR NPN+PNP Q1BSR=2.2K
Szczegółowy opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 100mW Surface Mount ES6
Magazyn:
7980 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12973833
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
RN4985FE,LXHF(CT Specyfikacje techniczne
Kategoria
Bipolarny (BJT), Układy tranzystorów bipolarnych, wstępnie zbuforowanych
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Prąd - Kolektor (ic) (maks.)
100mA
Napięcie - awaria kolektora-emitera (maks.)
50V
Rezystor - podstawa (R1)
2.2kOhms
Rezystor - podstawa emitera (R2)
47kOhms
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prąd - odcięcie kolektora (maks.)
500nA
Częstotliwość - Przejście
250MHz, 200MHz
Moc - Max
100mW
Ocena
Automotive
Kwalifikacja
AEC-Q101
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
SOT-563, SOT-666
Pakiet urządzeń dostawcy
ES6
Podstawowy numer produktu
RN4985
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
264-RN4985FE,LXHF(CTDKR
264-RN4985FE,LXHF(CTTR-DG
264-RN4985FELXHF(CT
264-RN4985FELXHF(CTTR
264-RN4985FELXHF(CTDKR
264-RN4985FE,LXHF(CT-DG
264-RN4985FE,LXHF(CTDKR-DG
264-RN4985FE,LXHF(CTTR
264-RN4985FE,LXHF(CT
Pakiet Standard
4,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
RN4988FE,LXHF(CT
AUTO AEC-Q TR NPN+PNP Q1BSR=22KO
2SC164S_R1_00001
APPLICATION SPECIFIC MULTICHIP C
NSVMUN5338DW1T3G
SS SC88 DUAL BRT TRPDBN
