Numer produktu producenta:
RN2910,LF(CT
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
RN2910,LF(CT-DG
Opis:
PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BERINF.
Szczegółowy opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount SMQ
Magazyn:
3000 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12889396
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
RN2910,LF(CT Specyfikacje techniczne
Kategoria
Bipolarny (BJT), Układy tranzystorów bipolarnych, wstępnie zbuforowanych
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Prąd - Kolektor (ic) (maks.)
100mA
Napięcie - awaria kolektora-emitera (maks.)
50V
Rezystor - podstawa (R1)
4.7kOhms
Rezystor - podstawa emitera (R2)
-
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prąd - odcięcie kolektora (maks.)
100nA (ICBO)
Częstotliwość - Przejście
200MHz
Moc - Max
200mW
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
SC-61AA
Pakiet urządzeń dostawcy
SMQ
Podstawowy numer produktu
RN2910
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
RN2910,LF(CB
RN2910LF(CTDKR
RN2910LF(CTCT
RN2910LF(CTTR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0075
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
RN1965(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
RN2607(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
RN2962(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6