Numer produktu producenta:
RN2413TE85LF
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
RN2413TE85LF-DG
Opis:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
Szczegółowy opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount S-Mini
Magazyn:
3000 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12889498
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
RN2413TE85LF Specyfikacje techniczne
Kategoria
Bipolarny (BJT), Pojedyncze, wstępnie spolaryzowane tranzystory bipolarnie
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora
PNP - Pre-Biased
Prąd - Kolektor (ic) (maks.)
100 mA
Napięcie - awaria kolektora-emitera (maks.)
50 V
Rezystor - podstawa (R1)
47 kOhms
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prąd - odcięcie kolektora (maks.)
100nA (ICBO)
Częstotliwość - Przejście
200 MHz
Moc - Max
200 mW
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pakiet urządzeń dostawcy
S-Mini
Podstawowy numer produktu
RN2413
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
RN2413TE85LFDKR
RN2413TE85LFCT
RN2413(TE85L,F)
RN2413TE85LF-DG
RN2413TE85LFTR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0075
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
RN2427TE85LF
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI
DDTD143EU-7-F
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323
RN1314(TE85L,F)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
