Numer produktu producenta:
RN2115,LF(CT
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
RN2115,LF(CT-DG
Opis:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Szczegółowy opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 MHz 100 mW Surface Mount SSM
Magazyn:
3000 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12889474
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
RN2115,LF(CT Specyfikacje techniczne
Kategoria
Bipolarny (BJT), Pojedyncze, wstępnie spolaryzowane tranzystory bipolarnie
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora
PNP - Pre-Biased
Prąd - Kolektor (ic) (maks.)
100 mA
Napięcie - awaria kolektora-emitera (maks.)
50 V
Rezystor - podstawa (R1)
2.2 kOhms
Rezystor - podstawa emitera (R2)
10 kOhms
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (min) @ Ic, Vce
50 @ 10mA, 5V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prąd - odcięcie kolektora (maks.)
500nA
Częstotliwość - Przejście
200 MHz
Moc - Max
100 mW
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
SC-75, SOT-416
Pakiet urządzeń dostawcy
SSM
Podstawowy numer produktu
RN2115
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
RN2115LF(CTDKR
RN2115LF(CBTR
RN2115(T5LFT)DKR-DG
RN2115(T5LFT)TR
RN2115(T5L,F,T)
RN2115LF(CBDKR-DG
RN2115(T5LFT)DKR
RN2115,LF(CB
RN2115(T5LFT)CT-DG
RN2115(T5LFT)TR-DG
RN2115LF(CBCT
RN2115LF(CTTR
RN2115(T5LFT)CT
RN2115LF(CTCT
RN2115LF(CBCT-DG
RN2115LF(CBDKR
RN2115LF(CBTR-DG
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0075
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
RN2406,LF
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
RN1102ACT(TPL3)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
RN1301,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
