RN2108,LF(CT
Numer produktu producenta:

RN2108,LF(CT

Product Overview

Producent:

Toshiba Semiconductor and Storage

Numer części:

RN2108,LF(CT-DG

Opis:

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Szczegółowy opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 MHz 100 mW Surface Mount SSM

Magazyn:

3000 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12890839
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

RN2108,LF(CT Specyfikacje techniczne

Kategoria
Bipolarny (BJT), Pojedyncze, wstępnie spolaryzowane tranzystory bipolarnie
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora
PNP - Pre-Biased
Prąd - Kolektor (ic) (maks.)
100 mA
Napięcie - awaria kolektora-emitera (maks.)
50 V
Rezystor - podstawa (R1)
22 kOhms
Rezystor - podstawa emitera (R2)
47 kOhms
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prąd - odcięcie kolektora (maks.)
500nA
Częstotliwość - Przejście
200 MHz
Moc - Max
100 mW
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
SC-75, SOT-416
Pakiet urządzeń dostawcy
SSM
Podstawowy numer produktu
RN2108

Karta katalogowa i dokumenty

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
RN2108LF(CTTR
RN2108,LF(CB
RN2108LF(CTCT
RN2108LF(CTDKR
Pakiet Standard
3,000

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0075
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
toshiba-semiconductor-and-storage

TDTC114E,LM

TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1109(T5L,F,T)

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2105,LF(CT

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2108ACT(TPL3)

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3