Numer produktu producenta:
RN2106ACT(TPL3)
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
RN2106ACT(TPL3)-DG
Opis:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Szczegółowy opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 80 mA 100 mW Surface Mount CST3
Magazyn:
10000 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12890923
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
RN2106ACT(TPL3) Specyfikacje techniczne
Kategoria
Bipolarny (BJT), Pojedyncze, wstępnie spolaryzowane tranzystory bipolarnie
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora
PNP - Pre-Biased
Prąd - Kolektor (ic) (maks.)
80 mA
Napięcie - awaria kolektora-emitera (maks.)
50 V
Rezystor - podstawa (R1)
4.7 kOhms
Rezystor - podstawa emitera (R2)
47 kOhms
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic
150mV @ 250µA, 5mA
Prąd - odcięcie kolektora (maks.)
500nA
Moc - Max
100 mW
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
SC-101, SOT-883
Pakiet urządzeń dostawcy
CST3
Podstawowy numer produktu
RN2106
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
RN2106ACT(TPL3)CT
RN2106ACT(TPL3)DKR
RN2106ACT(TPL3)TR
Pakiet Standard
10,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
RoHS Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
RN2401,LF
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
RN1414,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
RN1424TE85LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
