Numer produktu producenta:
RN1967FE(TE85L,F)
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
RN1967FE(TE85L,F)-DG
Opis:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Szczegółowy opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
Magazyn:
12890202
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
RN1967FE(TE85L,F) Specyfikacje techniczne
Kategoria
Bipolarny (BJT), Układy tranzystorów bipolarnych, wstępnie zbuforowanych
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Prąd - Kolektor (ic) (maks.)
100mA
Napięcie - awaria kolektora-emitera (maks.)
50V
Rezystor - podstawa (R1)
10kOhms
Rezystor - podstawa emitera (R2)
47kOhms
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prąd - odcięcie kolektora (maks.)
100nA (ICBO)
Częstotliwość - Przejście
250MHz
Moc - Max
100mW
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
SOT-563, SOT-666
Pakiet urządzeń dostawcy
ES6
Podstawowy numer produktu
RN1967
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
RN1967FE(TE85LF)DKR
RN1967FE(TE85LF)CT
RN1967FE(TE85LF)TR
Pakiet Standard
4,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
NSVBC114YDXV6T1G
PRODUCENT
onsemi
ILOŚĆ DOSTĘPNA
7900
NUMER CZĘŚCI
NSVBC114YDXV6T1G-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.05
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
DCX124EK-7-F
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SC74R
RN1966FE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
RN1705,LF
NPNX2 BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER47KO
