Strona główna
Produkty
Producenci
O DiGi
Skontaktuj się z nami
Blogi i posty
Zapytanie ofertowe
Poland
Zaloguj się
Wybór języka
Bieżący język do wyboru:
Poland
Przełącz:
Angielski
Europa
Wielka Brytania
Francja
Hiszpania
Turcja
Mołdawia
Litwa
Norwegia
Niemcy
Portugalia
Słowacja
ltaly powiedział:
Finlandia
Rosyjski
Bułgaria
Dania
Estonia
Polska
Ukraina
Słowenia
Czeski
Grecki
Chorwacja
Izrael
Serbia
Białoruś
Holandia
Szwecja
Czarnogóra
Baskijski
Islandia
Bośnia
Węgierski
Rumunia
Austria
Belgia
Irlandia
Azja / Pacyfik
Chiny
Wietnam
Indonezja
Tajlandia
Laos
Filipiński
Malezja
Korea
Japonia
Hongkong
Tajwan
Singapur
Pakistan
Arabia Saudyjska
Katar
Kuwejt
Kambodża
Myanmar
Afryka, Indie i Bliski Wschód
Zjednoczone Emiraty Arabskie
Tadżykistan
Madagaskar
Indie
Iran
DR Konga
Republika Południowej Afryki
Egipt
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunezja
Ameryka Południowa / Oceania
Nowa Zelandia
Angola
Brazylia
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Wenezuela
Ekwador
Boliwia
Urugwaj
Argentyna
Paragwaj
Australia
Ameryka Północna
Stany Zjednoczone
Haiti
Kanada
Kostaryka
Meksyk
O DiGi
O nas
O nas
Nasze certyfikaty
DiGi Wprowadzenie
Dlaczego DiGi
Polityka
Polityka Jakości
Warunki użytkowania
Zgodność z RoHS
Proces zwrotu
Zasoby
Kategorie Produktów
Producenci
Blogi i posty
Usługi
Gwarancja Jakości
Sposób płatności
Globalna przesyłka
Stawki wysyłki
Najczęściej Zadawane Pytania
Numer produktu producenta:
RN1962TE85LF
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
RN1962TE85LF-DG
Opis:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W US6
Szczegółowy opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 500mW Surface Mount US6
Magazyn:
Zapytanie ofertowe Online
12891393
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
*
Firma
*
Nazwa kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Adres dostawy
Wiadomość
(
*
) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
RN1962TE85LF Specyfikacje techniczne
Kategoria
Bipolarny (BJT), Układy tranzystorów bipolarnych, wstępnie zbuforowanych
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Prąd - Kolektor (ic) (maks.)
100mA
Napięcie - awaria kolektora-emitera (maks.)
50V
Rezystor - podstawa (R1)
10kOhms
Rezystor - podstawa emitera (R2)
10kOhms
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (min) @ Ic, Vce
50 @ 10mA, 5V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prąd - odcięcie kolektora (maks.)
100nA (ICBO)
Częstotliwość - Przejście
250MHz
Moc - Max
500mW
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pakiet urządzeń dostawcy
US6
Podstawowy numer produktu
RN1962
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
RN1961-66
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
RN1962TE85LFCT
RN1962TE85LFDKR
RN1962(TE85L,F)
RN1962TE85LFTR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
RoHS Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
PUMH11,115
PRODUCENT
Nexperia USA Inc.
ILOŚĆ DOSTĘPNA
32211
NUMER CZĘŚCI
PUMH11,115-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.03
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
DCX114EU-13R-F
PRODUCENT
Diodes Incorporated
ILOŚĆ DOSTĘPNA
9650
NUMER CZĘŚCI
DCX114EU-13R-F-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.02
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
NSVMUN5211DW1T2G
PRODUCENT
onsemi
ILOŚĆ DOSTĘPNA
8857
NUMER CZĘŚCI
NSVMUN5211DW1T2G-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.03
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
PUMD3,135
PRODUCENT
Nexperia USA Inc.
ILOŚĆ DOSTĘPNA
9150
NUMER CZĘŚCI
PUMD3,135-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.02
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
PUMD3,115
PRODUCENT
Nexperia USA Inc.
ILOŚĆ DOSTĘPNA
229183
NUMER CZĘŚCI
PUMD3,115-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.03
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
RN1908FE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
RN1906FE,LF(CT
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
RN2911,LF
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
RN2904,LF
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6