Numer produktu producenta:
RN1905,LF(CT
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
RN1905,LF(CT-DG
Opis:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Szczegółowy opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
Magazyn:
4481 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12889083
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
RN1905,LF(CT Specyfikacje techniczne
Kategoria
Bipolarny (BJT), Układy tranzystorów bipolarnych, wstępnie zbuforowanych
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Prąd - Kolektor (ic) (maks.)
100mA
Napięcie - awaria kolektora-emitera (maks.)
50V
Rezystor - podstawa (R1)
2.2kOhms
Rezystor - podstawa emitera (R2)
47kOhms
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prąd - odcięcie kolektora (maks.)
500nA
Częstotliwość - Przejście
250MHz
Moc - Max
200mW
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pakiet urządzeń dostawcy
US6
Podstawowy numer produktu
RN1905
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
RN1905,LF(CB
RN1905LF(CT-DG
RN1905LF(CTTR
RN1905LF(CTCT
RN1905LF(CTDKR
RN1905,LF (CT
RN1905LF(CT
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
RN4909(T5L,F,T)
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
RN1971TE85LF
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
RN2711JE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV