Numer produktu producenta:
RN1903FE,LF(CT
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
RN1903FE,LF(CT-DG
Opis:
NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER22KOH
Szczegółowy opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
Magazyn:
3000 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12889265
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
RN1903FE,LF(CT Specyfikacje techniczne
Kategoria
Bipolarny (BJT), Układy tranzystorów bipolarnych, wstępnie zbuforowanych
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Prąd - Kolektor (ic) (maks.)
100mA
Napięcie - awaria kolektora-emitera (maks.)
50V
Rezystor - podstawa (R1)
22kOhms
Rezystor - podstawa emitera (R2)
22kOhms
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (min) @ Ic, Vce
70 @ 10mA, 5V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prąd - odcięcie kolektora (maks.)
500nA
Częstotliwość - Przejście
250MHz
Moc - Max
100mW
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
SOT-563, SOT-666
Pakiet urządzeń dostawcy
ES6
Podstawowy numer produktu
RN1903
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
RN1903FELF(CTCT
RN1903FE,LF(CB
RN1903FELF(CTDKR
RN1903FELF(CTTR
Pakiet Standard
4,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0075
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
PEMH1,115
PRODUCENT
Nexperia USA Inc.
ILOŚĆ DOSTĘPNA
4000
NUMER CZĘŚCI
PEMH1,115-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.07
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
RN4907FE,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN2967FE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN2604(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6