Numer produktu producenta:
RN1706JE(TE85L,F)
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
RN1706JE(TE85L,F)-DG
Opis:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
Szczegółowy opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ESV
Magazyn:
12891281
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
RN1706JE(TE85L,F) Specyfikacje techniczne
Kategoria
Bipolarny (BJT), Układy tranzystorów bipolarnych, wstępnie zbuforowanych
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora
2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Prąd - Kolektor (ic) (maks.)
100mA
Napięcie - awaria kolektora-emitera (maks.)
50V
Rezystor - podstawa (R1)
4.7kOhms
Rezystor - podstawa emitera (R2)
47kOhms
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prąd - odcięcie kolektora (maks.)
100nA (ICBO)
Częstotliwość - Przejście
250MHz
Moc - Max
100mW
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
SOT-553
Pakiet urządzeń dostawcy
ESV
Podstawowy numer produktu
RN1706
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
RN1706JE(TE85LF)DKR
RN1706JE(TE85LF)CT
RN1706JE(TE85LF)TR
Pakiet Standard
4,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
RoHS Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
RN1601(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
RN2909,LF(CT
PNPX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER22KOH
RN1610(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
