Numer produktu producenta:
RN1114MFV,L3F
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
RN1114MFV,L3F-DG
Opis:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Szczegółowy opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount VESM
Magazyn:
8000 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12889727
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
RN1114MFV,L3F Specyfikacje techniczne
Kategoria
Bipolarny (BJT), Pojedyncze, wstępnie spolaryzowane tranzystory bipolarnie
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora
NPN - Pre-Biased
Prąd - Kolektor (ic) (maks.)
100 mA
Napięcie - awaria kolektora-emitera (maks.)
50 V
Rezystor - podstawa (R1)
1 kOhms
Rezystor - podstawa emitera (R2)
10 kOhms
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (min) @ Ic, Vce
50 @ 10mA, 5V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prąd - odcięcie kolektora (maks.)
500nA
Częstotliwość - Przejście
250 MHz
Moc - Max
150 mW
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
SOT-723
Pakiet urządzeń dostawcy
VESM
Podstawowy numer produktu
RN1114
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
RN1114MFVL3F-DG
RN1114MFVL3F
264-RN1114MFV,L3FDKR
264-RN1114MFV,L3FCT
264-RN1114MFV,L3FTR
Pakiet Standard
8,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0075
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
RN1111,LF(CT
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
RN1117(T5L,F,T)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
RN1415,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI