RN1112ACT(TPL3)
Numer produktu producenta:

RN1112ACT(TPL3)

Product Overview

Producent:

Toshiba Semiconductor and Storage

Numer części:

RN1112ACT(TPL3)-DG

Opis:

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Szczegółowy opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 80 mA 100 mW Surface Mount CST3

Magazyn:

9945 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12889332
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

RN1112ACT(TPL3) Specyfikacje techniczne

Kategoria
Bipolarny (BJT), Pojedyncze, wstępnie spolaryzowane tranzystory bipolarnie
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora
NPN - Pre-Biased
Prąd - Kolektor (ic) (maks.)
80 mA
Napięcie - awaria kolektora-emitera (maks.)
50 V
Rezystor - podstawa (R1)
22 kOhms
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic
150mV @ 250µA, 5mA
Prąd - odcięcie kolektora (maks.)
100nA (ICBO)
Moc - Max
100 mW
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
SC-101, SOT-883
Pakiet urządzeń dostawcy
CST3
Podstawowy numer produktu
RN1112

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
RN1112ACT(TPL3)DKR
RN1112ACT(TPL3)CT
RN1112ACT(TPL3)TR
Pakiet Standard
10,000

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
RoHS Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095

Alternatywne modele

NUMER CZĘŚCI
PDTC124TM,315
PRODUCENT
Nexperia USA Inc.
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
PDTC124TM,315-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.02
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
toshiba-semiconductor-and-storage

RN2103(T5L,F,T)

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1104T5LFT

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM

micro-commercial-components

DTA143ZE-TP

TRANS PREBIAS PNP 50V SOT523

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1130MFV,L3F

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM