Strona główna
Produkty
Producenci
O DiGi
Skontaktuj się z nami
Blogi i posty
Zapytanie ofertowe
Poland
Zaloguj się
Wybór języka
Bieżący język do wyboru:
Poland
Przełącz:
Angielski
Europa
Wielka Brytania
Francja
Hiszpania
Turcja
Mołdawia
Litwa
Norwegia
Niemcy
Portugalia
Słowacja
ltaly powiedział:
Finlandia
Rosyjski
Bułgaria
Dania
Estonia
Polska
Ukraina
Słowenia
Czeski
Grecki
Chorwacja
Izrael
Serbia
Białoruś
Holandia
Szwecja
Czarnogóra
Baskijski
Islandia
Bośnia
Węgierski
Rumunia
Austria
Belgia
Irlandia
Azja / Pacyfik
Chiny
Wietnam
Indonezja
Tajlandia
Laos
Filipiński
Malezja
Korea
Japonia
Hongkong
Tajwan
Singapur
Pakistan
Arabia Saudyjska
Katar
Kuwejt
Kambodża
Myanmar
Afryka, Indie i Bliski Wschód
Zjednoczone Emiraty Arabskie
Tadżykistan
Madagaskar
Indie
Iran
DR Konga
Republika Południowej Afryki
Egipt
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunezja
Ameryka Południowa / Oceania
Nowa Zelandia
Angola
Brazylia
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Wenezuela
Ekwador
Boliwia
Urugwaj
Argentyna
Paragwaj
Australia
Ameryka Północna
Stany Zjednoczone
Haiti
Kanada
Kostaryka
Meksyk
O DiGi
O nas
O nas
Nasze certyfikaty
DiGi Wprowadzenie
Dlaczego DiGi
Polityka
Polityka Jakości
Warunki użytkowania
Zgodność z RoHS
Proces zwrotu
Zasoby
Kategorie Produktów
Producenci
Blogi i posty
Usługi
Gwarancja Jakości
Sposób płatności
Globalna przesyłka
Stawki wysyłki
Najczęściej Zadawane Pytania
Numer produktu producenta:
RN1106ACT(TPL3)
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
RN1106ACT(TPL3)-DG
Opis:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Szczegółowy opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 80 mA 100 mW Surface Mount CST3
Magazyn:
Zapytanie ofertowe Online
12889555
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
*
Firma
*
Nazwa kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Adres dostawy
Wiadomość
(
*
) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
RN1106ACT(TPL3) Specyfikacje techniczne
Kategoria
Bipolarny (BJT), Pojedyncze, wstępnie spolaryzowane tranzystory bipolarnie
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora
NPN - Pre-Biased
Prąd - Kolektor (ic) (maks.)
80 mA
Napięcie - awaria kolektora-emitera (maks.)
50 V
Rezystor - podstawa (R1)
4.7 kOhms
Rezystor - podstawa emitera (R2)
47 kOhms
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic
150mV @ 250µA, 5mA
Prąd - odcięcie kolektora (maks.)
500nA
Moc - Max
100 mW
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
SC-101, SOT-883
Pakiet urządzeń dostawcy
CST3
Podstawowy numer produktu
RN1106
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
RN1106ACT(TPL3)CT
RN1106ACT(TPL3)DKR
RN1106ACT(TPL3)TR
Pakiet Standard
10,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
PDTC143TMB,315
PRODUCENT
NXP USA Inc.
ILOŚĆ DOSTĘPNA
103845
NUMER CZĘŚCI
PDTC143TMB,315-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.03
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
PDTC143ZM,315
PRODUCENT
Nexperia USA Inc.
ILOŚĆ DOSTĘPNA
939
NUMER CZĘŚCI
PDTC143ZM,315-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.02
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
RN1106MFV,L3F
PRODUCENT
Toshiba Semiconductor and Storage
ILOŚĆ DOSTĘPNA
53233
NUMER CZĘŚCI
RN1106MFV,L3F-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.01
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
PDTC143TM,315
PRODUCENT
NXP Semiconductors
ILOŚĆ DOSTĘPNA
29800
NUMER CZĘŚCI
PDTC143TM,315-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.03
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
RN1303,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
RN2109,LF(CT
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
RN1409,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
RN2308(TE85L,F)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70