Numer produktu producenta:
RN1105MFV,L3F
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
RN1105MFV,L3F-DG
Opis:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Szczegółowy opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
Magazyn:
12889116
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
RN1105MFV,L3F Specyfikacje techniczne
Kategoria
Bipolarny (BJT), Pojedyncze, wstępnie spolaryzowane tranzystory bipolarnie
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora
NPN - Pre-Biased
Prąd - Kolektor (ic) (maks.)
100 mA
Napięcie - awaria kolektora-emitera (maks.)
50 V
Rezystor - podstawa (R1)
2.2 kOhms
Rezystor - podstawa emitera (R2)
47 kOhms
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 5mA
Prąd - odcięcie kolektora (maks.)
500nA
Moc - Max
150 mW
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
SOT-723
Pakiet urządzeń dostawcy
VESM
Podstawowy numer produktu
RN1105
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
RN1105MFV(TL3T)TR
RN1105MFV,L3FCT
RN1105MFVTL3T
RN1105MFV(TL3T)DKR-DG
RN1105MFV(TL3T)CT-DG
RN1105MFV,L3F(B
RN1105MFV,L3FTR
RN1105MFV(TL3T)DKR
RN1105MFV(TL3T)TR-DG
RN1105MFV(TL3T)CT
RN1105MFV,L3F(T
RN1105MFV,L3FDKR
RN1105MFV(TL3,T)
Pakiet Standard
8,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
RoHS Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
NSVDTC123JM3T5G
PRODUCENT
onsemi
ILOŚĆ DOSTĘPNA
8000
NUMER CZĘŚCI
NSVDTC123JM3T5G-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.03
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
RN2302,LF
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
RN2303(TE85L,F)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
RN1408,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
