Numer produktu producenta:
RN1101,LF(CT
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
RN1101,LF(CT-DG
Opis:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Szczegółowy opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Surface Mount SSM
Magazyn:
5124 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12889269
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
RN1101,LF(CT Specyfikacje techniczne
Kategoria
Bipolarny (BJT), Pojedyncze, wstępnie spolaryzowane tranzystory bipolarnie
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora
NPN - Pre-Biased
Prąd - Kolektor (ic) (maks.)
100 mA
Napięcie - awaria kolektora-emitera (maks.)
50 V
Rezystor - podstawa (R1)
4.7 kOhms
Rezystor - podstawa emitera (R2)
4.7 kOhms
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 10mA, 5V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prąd - odcięcie kolektora (maks.)
500nA
Częstotliwość - Przejście
250 MHz
Moc - Max
100 mW
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
SC-75, SOT-416
Pakiet urządzeń dostawcy
SSM
Podstawowy numer produktu
RN1101
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
RN1101,LF(CTTR
RN1101,LF(CTDKR-DG
RN1101LF(CTCT
RN1101(T5LFT)TR
RN1101,LF(CTTR-DG
RN1101T5LFT
RN1101LF(CTDKR
RN1101(T5LFT)DKR-DG
RN1101(T5LFT)DKR
RN1101,LF(CTCT
RN1101,LF(CTDKR
RN1101,LF(CTCT-DG
RN1101,LF(CB
RN1101(T5LFT)TR-DG
RN1101(T5LFT)CT-DG
RN1101LF(CTTR
RN1101(T5L,F,T)
RN1101(T5LFT)CT
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0075
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
RN1405,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
RN1402,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
DTC143ESA-BP
TRANS PREBIAS NPN 50V TO92S
