HN4B04J(TE85L,F)
Numer produktu producenta:

HN4B04J(TE85L,F)

Product Overview

Producent:

Toshiba Semiconductor and Storage

Numer części:

HN4B04J(TE85L,F)-DG

Opis:

TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SMV
Szczegółowy opis:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 30V 500mA 200MHz 300mW Surface Mount SMV

Magazyn:

12891332
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
kuZP
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

HN4B04J(TE85L,F) Specyfikacje techniczne

Kategoria
Bipolarny (BJT), Układy tranzystorów bipolarnych
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora
NPN, PNP
Prąd - Kolektor (ic) (maks.)
500mA
Napięcie - awaria kolektora-emitera (maks.)
30V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
Prąd - odcięcie kolektora (maks.)
100µA (ICBO)
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (min) @ Ic, Vce
70 @ 100mA, 1V
Moc - Max
300mW
Częstotliwość - Przejście
200MHz
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
SC-74A, SOT-753
Pakiet urządzeń dostawcy
SMV
Podstawowy numer produktu
HN4B04

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
HN4B04JTE85LF
HN4B04J(TE85LF)CT
HN4B04J(TE85LF)DKR
HN4B04J(TE85LF)TR
Pakiet Standard
3,000

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0075
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
diodes

DMMT3904W-7

TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT363

toshiba-semiconductor-and-storage

HN1A01F-Y(TE85L,F)

TRANS 2PNP 50V 0.15A SM6

toshiba-semiconductor-and-storage

HN1C01FE-GR,LF

TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6

toshiba-semiconductor-and-storage

2SC4207-Y(TE85L,F)

TRANS 2NPN 50V 0.15A SMV