Numer produktu producenta:
HN1B01FU-GR,LXHF
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
HN1B01FU-GR,LXHF-DG
Opis:
AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Szczegółowy opis:
Bipolar (BJT) Transistor Array 50V 150mA 120MHz, 150MHz 200mW Surface Mount US6
Magazyn:
5968 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12996534
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
HN1B01FU-GR,LXHF Specyfikacje techniczne
Kategoria
Bipolarny (BJT), Układy tranzystorów bipolarnych
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora
-
Prąd - Kolektor (ic) (maks.)
150mA
Napięcie - awaria kolektora-emitera (maks.)
50V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic
300mV @ 10mA, 100mA / 250mV @ 10mA, 100mA
Prąd - odcięcie kolektora (maks.)
100nA (ICBO)
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 6V
Moc - Max
200mW
Częstotliwość - Przejście
120MHz, 150MHz
Temperatura
-
Ocena
Automotive
Kwalifikacja
AEC-Q101
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pakiet urządzeń dostawcy
US6
Podstawowy numer produktu
HN1B01
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
264-HN1B01FU-GR,LXHFDKR-DG
264-HN1B01FU-GR,LXHFDKR
264-HN1B01FU-GRLXHFCT
264-HN1B01FU-GRLXHFTR
264-HN1B01FU-GR,LXHFTR
264-HN1B01FU-GRLXHFDKR
264-HN1B01FU-GR,LXHFCT
264-HN1B01FU-GR,LXHFCT-DG
264-HN1B01FU-GR,LXHFTR-DG
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0075
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
PBSS4140DPN/DG/B2,115
NEXPERIA PBSS4140DPN - 40 V LOW
BC817RA147
BC817RA - SMALL SIGNAL BIPOLAR T
PBSS5230PAP,115
NEXPERIA PBSS5230PAP - SMALL SIG