2SK3127(TE24L,Q)
Numer produktu producenta:

2SK3127(TE24L,Q)

Product Overview

Producent:

Toshiba Semiconductor and Storage

Numer części:

2SK3127(TE24L,Q)-DG

Opis:

MOSFET N-CH 30V 45A TO220SM
Szczegółowy opis:
N-Channel 30 V 45A (Ta) 65W (Tc) Surface Mount TO-220SM

Magazyn:

12891774
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

2SK3127(TE24L,Q) Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
45A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
12mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2300 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
65W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220SM
Pakiet / Walizka
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Podstawowy numer produktu
2SK3127

Dodatkowe informacje

Pakiet Standard
3,000

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
diodes

DMPH6023SK3-13

MOSFET P-CHANNEL 60V 35A TO252

diodes

DMN5L06TK-7

MOSFET N-CH 50V 280MA SOT-523

diodes

DMT4002LPS-13

MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8

diodes

DMN65D8LFB-7B

MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN