Numer produktu producenta:
2SD2257(Q,M)
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
2SD2257(Q,M)-DG
Opis:
TRANS NPN 100V 3A TO220NIS
Szczegółowy opis:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 3 A 2 W Through Hole TO-220NIS
Magazyn:
12891512
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
2SD2257(Q,M) Specyfikacje techniczne
Kategoria
Bipolarny (BJT), Pojedyncze tranzystory bipolarnie
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora
NPN
Prąd - Kolektor (ic) (maks.)
3 A
Napięcie - awaria kolektora-emitera (maks.)
100 V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic
1.5V @ 1.5mA, 1.5A
Prąd - odcięcie kolektora (maks.)
10µA (ICBO)
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (min) @ Ic, Vce
2000 @ 2A, 2V
Moc - Max
2 W
Częstotliwość - Przejście
-
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet / Walizka
TO-220-3 Full Pack
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220NIS
Podstawowy numer produktu
2SD2257
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
2SD2257QM
2SD2257(QM)
Pakiet Standard
1
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
2SC3074-O(Q)
TRANS NPN 50V 5A PW-MOLD
2SA1182-Y,LF
TRANS PNP 30V 0.5A SMINI
2SC4883A
TRANSISTOR NPN TO220
