2SA1930(Q,M)
Numer produktu producenta:

2SA1930(Q,M)

Product Overview

Producent:

Toshiba Semiconductor and Storage

Numer części:

2SA1930(Q,M)-DG

Opis:

TRANS PNP 180V 2A TO220NIS
Szczegółowy opis:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 180 V 2 A 200MHz 2 W Through Hole TO-220NIS

Magazyn:

12891716
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

2SA1930(Q,M) Specyfikacje techniczne

Kategoria
Bipolarny (BJT), Pojedyncze tranzystory bipolarnie
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora
PNP
Prąd - Kolektor (ic) (maks.)
2 A
Napięcie - awaria kolektora-emitera (maks.)
180 V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic
1V @ 100mA, 1A
Prąd - odcięcie kolektora (maks.)
5µA (ICBO)
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 5V
Moc - Max
2 W
Częstotliwość - Przejście
200MHz
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet / Walizka
TO-220-3 Full Pack
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220NIS
Podstawowy numer produktu
2SA1930

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
2SA1930(Q,M)-DG
2SA1930QM
Pakiet Standard
500

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0075

Alternatywne modele

NUMER CZĘŚCI
TTA004B,Q
PRODUCENT
Toshiba Semiconductor and Storage
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
TTA004B,Q-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.12
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
toshiba-semiconductor-and-storage

2SC3669-Y,T2PASF(M

TRANS NPN 80V 2A MSTM

micro-commercial-components

2SA684-AP

TRANS PNP 50V 1A TO92L

diodes

FZT788BTA

TRANS PNP 15V 3A SOT223-3

toshiba-semiconductor-and-storage

2SC4116-Y,LF

TRANS NPN 50V 0.15A SC70