Numer produktu producenta:
2SA1930(LBS2MATQ,M
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
2SA1930(LBS2MATQ,M-DG
Opis:
TRANS PNP 180V 2A TO220NIS
Szczegółowy opis:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 180 V 2 A 200MHz 2 W Through Hole TO-220NIS
Magazyn:
12890736
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
2SA1930(LBS2MATQ,M Specyfikacje techniczne
Kategoria
Bipolarny (BJT), Pojedyncze tranzystory bipolarnie
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora
PNP
Prąd - Kolektor (ic) (maks.)
2 A
Napięcie - awaria kolektora-emitera (maks.)
180 V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic
1V @ 100mA, 1A
Prąd - odcięcie kolektora (maks.)
5µA (ICBO)
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 5V
Moc - Max
2 W
Częstotliwość - Przejście
200MHz
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet / Walizka
TO-220-3 Full Pack
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220NIS
Podstawowy numer produktu
2SA1930
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
2SA1930(LBS2MATQM
2SA1930LBS2MATQM
Pakiet Standard
1
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0075
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
2SC5171(ONK,Q,M)
TRANS NPN 180V 2A TO220NIS
2SA1887(F)
TRANS PNP 50V 10A TO220NIS
2SC2235-Y,USNHF(M
TRANS NPN 120V 0.8A TO92MOD