Numer produktu producenta:
CSD19532Q5BT
Product Overview
Producent:
Texas Instruments
Numer części:
CSD19532Q5BT-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
Szczegółowy opis:
N-Channel 100 V 100A (Ta) 3.1W (Ta), 195W (Tc) Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6)
Magazyn:
4469 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12789229
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
CSD19532Q5BT Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Texas Instruments
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
NexFET™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
100A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
6V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
4.9mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.2V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
62 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
4810 pF @ 50 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
3.1W (Ta), 195W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
8-VSON-CLIP (5x6)
Pakiet / Walizka
8-PowerTDFN
Podstawowy numer produktu
CSD19532
Karta katalogowa i dokumenty
Strona producenta produktu
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
2156-CSD19532Q5BTTR
296-44471-6
296-44471-2
296-44471-1
Pakiet Standard
250
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
CSD17313Q2T
MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
CSD25201W15
MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA
CDM4-600LR TR13 PBFREE
MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
