Numer produktu producenta:
CSD19531Q5A
Product Overview
Producent:
Texas Instruments
Numer części:
CSD19531Q5A-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
Szczegółowy opis:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (5x6)
Magazyn:
5285 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12795013
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
CSD19531Q5A Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Texas Instruments
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
NexFET™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
100A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
6V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
6.4mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.3V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3870 pF @ 50 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
3.3W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
8-VSONP (5x6)
Pakiet / Walizka
8-PowerTDFN
Podstawowy numer produktu
CSD19531
Karta katalogowa i dokumenty
Strona producenta produktu
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
-CSD19531Q5AINACTIVE
296-41232-2
296-41232-1
CSD19531Q5A-DG
296-41232-6
-CSD19531Q5A-NDR
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
CSD13385F5
MOSFET N-CH 12V 4.3A 3PICOSTAR
CSD17501Q5A
MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
CSD18509Q5BT
MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
