Numer produktu producenta:
CSD16321Q5T
Product Overview
Producent:
Texas Instruments
Numer części:
CSD16321Q5T-DG
Opis:
25-V, N CHANNEL NEXFET POWER MOS
Szczegółowy opis:
N-Channel 25 V 29A (Ta), 100A (Tc) 3.1W (Ta), 113W (Tc) Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6)
Magazyn:
530 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12974893
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
CSD16321Q5T Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Texas Instruments
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
NexFET™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
25 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
29A (Ta), 100A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
3V, 8V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
2.4mOhm @ 25A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
19 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
+10V, -8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3100 pF @ 12.5 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
3.1W (Ta), 113W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
8-VSON-CLIP (5x6)
Pakiet / Walizka
8-PowerTDFN
Podstawowy numer produktu
CSD16321
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
296-CSD16321Q5TCT
296-CSD16321Q5TDKR
296-CSD16321Q5TTR
Pakiet Standard
250
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
Not applicable
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
DI035P04PT-AQ
MOSFET, POWERQFN 3X3, -40V, -35A
IPL65R095CFD7AUMA1
COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
BUK9Y12-55B/C3X
MOSFET N-CH 55V LFPAK56
