Numer produktu producenta:
STWA63N65DM2
Product Overview
Producent:
STMicroelectronics
Numer części:
STWA63N65DM2-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 60A TO247
Szczegółowy opis:
N-Channel 650 V 60A (Tc) 446W (Tc) Through Hole TO-247 Long Leads
Magazyn:
600 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12880342
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
STWA63N65DM2 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
STMicroelectronics
Opakowanie
Tube
Seria
MDmesh™ DM2
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
60A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
50mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
5500 pF @ 100 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
446W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-247 Long Leads
Pakiet / Walizka
TO-247-3
Podstawowy numer produktu
STWA63
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
STWA63N65DM2-DG
497-STWA63N65DM2
Pakiet Standard
600
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
STW20NM60
MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
STL140N6F7
MOSFET N-CH 60V 145A POWERFLAT
STL9N65M2
MOSFET N-CH 650V POWERFLAT 5X5 H
