STWA60N043DM9
Numer produktu producenta:

STWA60N043DM9

Product Overview

Producent:

STMicroelectronics

Numer części:

STWA60N043DM9-DG

Opis:

N-CHANNEL 600 V, 38 MOHM TYP., 5
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 56A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-247 Long Leads

Magazyn:

185 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12994155
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

STWA60N043DM9 Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
STMicroelectronics
Opakowanie
Tube
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
56A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
43mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
78.6 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
4675 pF @ 400 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
312W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-247 Long Leads
Pakiet / Walizka
TO-247-3

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
497-STWA60N043DM9
Pakiet Standard
30

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
3 (168 Hours)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
onsemi

NTTFSS1D1N02P1E

25V PT11E IN 3X3 SD PACKAGE

taiwan-semiconductor

TSM250NB06LCV RGG

60V, 27A, SINGLE N-CHANNEL POWER

diodes

DMN2991UFB4-7B

MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-