Numer produktu producenta:
STW8NB100
Product Overview
Producent:
STMicroelectronics
Numer części:
STW8NB100-DG
Opis:
MOSFET N-CH 1000V 7.3A TO247-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 1000 V 7.3A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247-3
Magazyn:
12877246
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
STW8NB100 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
STMicroelectronics
Opakowanie
-
Seria
PowerMESH™
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1000 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
7.3A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
1.45Ohm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2900 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
190W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-247-3
Pakiet / Walizka
TO-247-3
Podstawowy numer produktu
STW8N
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
497-2646-5
Pakiet Standard
30
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
RoHS non-compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
FQH8N100C
PRODUCENT
onsemi
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
FQH8N100C-DG
CENA JEDNOSTKOWA
2.32
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
STF12NM50N
MOSFET N-CH 500V 11A TO220FP
STL4P2UH7
MOSFET P-CH 20V 4A POWERFLAT
STD60NF06T4
N-channel 60 V, 0.014 Ohm typ.,