Numer produktu producenta:
STW65N023M9-4
Product Overview
Producent:
STMicroelectronics
Numer części:
STW65N023M9-4-DG
Opis:
N-CHANNEL 650 V, 19.9 MOHM TYP.,
Szczegółowy opis:
N-Channel 650 V 95A (Tc) 463W (Tc) Through Hole TO-247-4
Magazyn:
66 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
13005836
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
STW65N023M9-4 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
STMicroelectronics
Opakowanie
Tube
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
95A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
23mOhm @ 48A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.2V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
230 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
8844 pF @ 400 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
463W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-247-4
Pakiet / Walizka
TO-247-4
Podstawowy numer produktu
STW65
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
497-STW65N023M9-4
Pakiet Standard
30
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
GSGA6R015
MOSFET, N-CH, SINGLE, 175A, 150V
PSMQC094N10NS2_R2_00201
100V/ 9.4M/ EXCELLECT LOW FOM MO
GSFU9504
MOSFET, N-CH, SINGLE, 5A, 950V,
