Numer produktu producenta:
STW56N65DM2
Product Overview
Producent:
STMicroelectronics
Numer części:
STW56N65DM2-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 48A TO247
Szczegółowy opis:
N-Channel 650 V 48A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247-3
Magazyn:
925 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12872203
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
STW56N65DM2 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
STMicroelectronics
Opakowanie
Tube
Seria
MDmesh™ DM2
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
48A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
65mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
88 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
4100 pF @ 100 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
360W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-247-3
Pakiet / Walizka
TO-247-3
Podstawowy numer produktu
STW56
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
497-16337-5
-497-16337-5
Pakiet Standard
30
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
STD2NK90ZT4
MOSFET N-CH 900V 2.1A DPAK
STF31N65M5
MOSFET N-CH 650V 22A TO220FP
STF13N60M2
N-channel 600 V, 350 Ohm typ., 1
